[发明专利]一种电场定向凝固提纯多晶硅的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910051922.4 申请日: 2009-05-25
公开(公告)号: CN101898763A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 高向瞳;赵百通 申请(专利权)人: 高向瞳
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 代理人: 周志宏
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种电场定向凝固提纯多晶硅的制备方法。其包括以下步骤:把硅料加入封密式提纯炉石墨坩锅内,净化封密式提纯炉,加热器加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的硅料,硅料完全溶化并保温;对石墨坩锅内的呈完全熔融状态的硅料施加电场,在电场作用的同时加热器继续保温,2-6小时;通过石墨坩锅底部降温,使其从底部向上进行定向凝固,全部凝固后硅锭快速冷却,并在1350-1380℃作退火处理;硅锭出炉,精整去头尾完成提纯得到高纯度的多晶硅。与现有技术相比,通过加电场进行定向凝固,使金属杂质在电场的作用下聚集到液态硅表面,通过从底部到顶部的定向凝固,让大部分金属杂质凝固在硅锭表面,最后去除硅锭头尾,将得到纯度较高的多晶硅,从而提高了太阳能电池转换效率。
搜索关键词: 一种 电场 定向 凝固 提纯 多晶 制备 方法
【主权项】:
1.一种电场定向凝固提纯多晶硅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步聚1,把硅料加入封密式提纯炉石墨坩锅内,净化封密式提纯炉,加热器加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的硅料,硅料完全溶化并保温;步骤2,对石墨坩锅内的呈完全熔融状态的硅料施加电场,在电场作用的同时加热器继续保温,2-6小时;步骤3,通过石墨坩锅底部降温,使其从底部向上进行定向凝固,全部凝固后硅锭快速冷却,并在1350-1380℃作退火处理;步骤4,硅锭出炉,精整去头尾完成提纯得到高纯度的多晶硅。
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