[发明专利]高透光基体上复合微纳结构阵列、方法及其应用有效
| 申请号： | 200910049955.5 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101544348A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 程建功;朱德峰;贺庆国;曹慧敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B82B1/00;B81C1/00;B82B3/00;G01N21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 高透光基体上复合微纳结构阵列、方法及其应用，其特征在于以高透光基体上的导光材料微纳结构阵列作为检测用荧光共轭聚合物的支撑结构。首先在石英等高透光材料基体上制备导光材料的微纳结构阵列及二次结构阵列，然后将对特定被分析物有传感性能的荧光共轭聚合物包覆到纳米结构基体的表面形成复合微纳结构阵列，用于目标物检测。本发明将不同导光材料微纳结构阵列用作荧光共轭聚合物的附着基底，利用微纳结构大比表面积、倏逝波效应、微谐振腔作用等，提高检测灵敏度、信号强度、延长使用寿命和提高重复利用性能。本发明可应用于固体、液体及气体分子的特异性和高灵敏度检测。 | ||
| 搜索关键词： | 透光 基体 复合 结构 阵列 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1. 高透光基体上复合微纳结构阵列，其特征在于首先在高透光基体上制备导光材料微纳米尺度结构阵列或二次结构阵列，然后以不同的导光材料作为荧光聚合物的附着基底，将对特定被分析物有检测性能的荧光共轭聚合物包覆到纳米结构基体的表面形成复合微纳结构阵列；其中，所述的高透光基体材料为在360-650nm的近紫外和可见光波长范围内透光率高于90％的材料，所述的导光材料为在360-650nm的近紫外和可见范围内透光率高于50％的材料，导光材料的折射率高于高透光基体材料折射率的5％以上。
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