[发明专利]用于扩大焦深参数工艺窗口的掩膜版、反掩膜版及其曝光方法无效
| 申请号： | 200910049637.9 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101571670A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 朱亮;顾以理;张迎春;周从树;钟政;邓木兵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于扩大焦深参数工艺窗口的掩膜版、反掩膜版及其曝光方法，属于光刻技术领域。该发明提出一种在图形稀疏区增加哑元图形使图形稀疏区和图形密集区的图形密度均匀的掩膜版，并以该掩膜版进行第一次曝光；同时提供其相应的用于对哑元图形区域进行补偿曝光的反掩膜版，并以该反掩膜版进行第二次曝光。该掩膜版、反掩膜版及其曝光方法的结合运用，能扩大焦深参数工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 扩大 焦深 参数 工艺 窗口 掩膜版 反掩膜版 及其 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掩膜版，用于扩大焦深参数的工艺窗口，掩膜版上设置有主图形，所述主图形将掩膜版划分为包括图形稀疏区和图形密集区，其特征在于，所述图形稀疏区还包括使图形稀疏区和图形密集区的图形密度均匀的哑元图形。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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