[发明专利]以聚乳酸为基底的神经芯片的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910049004.8 申请日: 2009-04-09
公开(公告)号: CN101543660A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 李以贵;陈少军;张冠;孙健;高阳 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: A61N1/36 分类号: A61N1/36;A61F2/00;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;C23C14/34;C23C14/20
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种生物工程技术领域的以聚乳酸为基底的神经芯片的制备方法,步骤为:第一步,在聚乳酸基底上旋涂一层光刻胶;第二步,对旋涂后的光刻胶进行UV曝光;第三步,曝光后将器件放入显影液中,去除未曝光的光刻胶部分;第四步,对聚乳酸基底用NaOH刻蚀剂刻蚀出圆孔;第五步,在聚乳酸基底圆孔里溅射金;第六步,将溅射完金的器件去除曝光过的光刻胶,同时光刻胶上的溅射金也被剥离;第七步,化学机械平坦化,使金与集成电路完好互联。本发明采用聚乳酸基底取代单晶硅基底,与原有的神经芯片相比,既可以实现原有的神经芯片的功能,又可以实现良好的生物兼容性和稳定的工作寿命。
搜索关键词: 乳酸 基底 神经 芯片 制备 方法
【主权项】:
1、一种以聚乳酸为基底的神经芯片的制备方法,其特征在于包括如下步骤:第一步,在聚乳酸基底上旋涂一层光刻胶;第二步,对旋涂后的光刻胶进行UV曝光;第三步,曝光后将器件放入显影液中,去除未曝光的光刻胶部分;第四步,对聚乳酸基底ICP-DRIE刻蚀出圆孔;第五步,在聚乳酸基底圆孔里溅射金;第六步,将溅射完金的器件去除曝光过的光刻胶,同时光刻胶上的溅射金也被剥离;第七步,化学机械平坦化,使金与集成电路完好互联。
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