[发明专利]氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件及制作方法无效
| 申请号： | 200910048825.X | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101533890A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 李效民;曹逊;于伟东;杨长;张亦文;刘新军;杨蕊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜，阻变氧化物层材料为ZnO或ZnO基掺杂阻变薄膜。在保持材料透明性的前提下，通过对ZnO基薄膜组分的调控，对薄膜材料的导电性及电阻转变性能进行控制，从而达到稳定存储的目的。本发明的存储单元结构的最大优点是基于低成本的氧化锌基同质结构薄膜材料，通过掺杂控制获得一种性能稳定且具有良好透明性的同质RRAM存储单元结构，有利于RRAM存储器件向低成本、高性能透明器件方向发展。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 同质 结构 透明 rram 元器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1、氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件，包括石英玻璃衬底，其特征在于在衬底上依次沉积底电极层、中间阻变氧化物层和顶电极层，构成三明治结构，且底电极层、中间阻变层和顶电极层是由氧化锌基同质结构的透明薄膜组成。
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