[发明专利]铁酸钴磁性厚膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910046943.7 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101567261A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;莫伟锋;张玲 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;H01F1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子材料与器件领域，公开了一种铁酸钴磁性厚膜的制备方法，为将铁酸钴分散在溶剂中制成浓度均匀的悬浮液，然后在恒电场条件下经过电泳沉积制备而成。本发明制得的铁酸钴磁性厚膜具有较高的矫顽磁场和磁饱和强度，可应用于制备厚膜电容，移相器，而且具有设备简单、成本低、成膜快、组分易于控制的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 铁酸钴 磁性 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备铁酸钴磁性厚膜的方法，包括如下步骤：1)将铁酸钴分散在溶剂中制成浓度均匀的铁酸钴悬浮液；2)将电极放置在分散好的铁酸钴悬浮液中，保持两极板平行；3)在恒电场条件下，电泳沉积15～30min，获得铁酸钴磁性厚膜；4)将电泳完毕后所得厚膜在100～300Mpa的压力条件下进行等静压处理；5)将经过等静压处理的厚膜热处理30～60min。
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