[发明专利]高转化率硅晶及薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提出了高转化率硅晶及薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制造方法，所述电池的结构为：底电极/n型梯度μc或epi Si1-xGex/n-型硅晶片/i-μ-Si/i-A-Si1-xGex/i-A-Si/i-μc-SiC/p-A-SiC/TCO/减反射膜。这种单晶多i层的PIN结构，i层可从上述六种材料中选用组成二层，三层，四层，五层和六层级结构；采用激光结晶工艺，等离子掺杂工艺，CVD和PECVD过度层工艺来改善各层之间的界面性能，并用氢化处理工艺来保持各层材料性能的稳定和改善透明导电薄膜材料和界面的透光率和导电性；电池转换效率可望达到25％—30％，并具有较好的稳定性。

主权项

一种高转化率硅晶及薄膜复合型单结PIN太阳能电池，其特征是，它的结构为以下诸种之一：(1)底电极/n层/n型硅晶片/i层/i层/i层/i层/p层/TCO/减反射膜；(2)底电极/n层/n型硅晶片/i层/i层/i层/p层/TCO/减反射膜；(3)底电极/n层/n型硅晶片/i层/i层/p层/TCO/减反射膜；(4)底电极/n层/n型硅晶片/i层/p层/TCO/减反射膜；(5)底电极/n层/n型硅晶片/p层/TCO/减反射膜；其中，所述p层、i层、n层均是选自μc‑Si1‑xGex、A‑Si1‑xGex、μc‑SiC、ASiC、μc‑Si、A‑‑Si半导体材料中的一种；0≤x≤1；“/”表示两层之间的界面；n‑表示电子型(n型)半导体，i‑表示本征半导体，P‑表示空穴型(P型)半导体；A‑表示非晶体，μc‑表示微晶；所述硅晶片为单晶硅片或多晶硅片。