[发明专利]一种背面点接触晶体硅太阳电池的制备工艺

摘要

本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池的制备工艺，在硅片背面镀二氧化硅和氮化硅复合钝化膜，并在该复合钝化膜上采用硅浆料丝网印刷具有点接触图案的硅浆层，然后采用化学腐蚀液腐蚀掉复合钝化膜中未被硅浆层覆盖的区域，再在硅片背面丝网印刷铝浆层，通过烧结使铝浆层与硅浆层的接触面形成硅铝合金层，最后通过烧结使铝浆料与硅片背面的硅基底形成局域欧姆接触和局域铝背场。采用该制备工艺降低了制备成本，更容易实现工业化大批量生产，制得的背面点接触电极晶体硅太阳电池，可以形成良好的背面欧姆接触和局域铝背场，一定程度上降低了点接触引起的电池串联电阻增大的问题，保持了良好的背面钝化效果和光学背反射性能。

主权项

1、一种背面点接触晶体硅太阳电池的制备工艺，其特征在于，在硅片背面镀二氧化硅和氮化硅复合钝化膜，并在该复合钝化膜上采用硅浆料丝网印刷具有点接触图案的硅浆层，然后采用化学腐蚀液腐蚀掉复合钝化膜中未被硅浆层覆盖的区域，再在硅片背面丝网印刷铝浆层，通过烧结使铝浆层与硅浆层的接触面形成硅铝合金层，最后通过烧结使铝浆料与硅片背面的硅基底形成局域欧姆接触和局域铝背场。