[发明专利]偶氮苯液晶光全息存储材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200910038137.5 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101521030A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王彪;方园;滕东东;汪琨;王传志;黄卓垚 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G11B7/241 | 分类号： | G11B7/241;C09K19/12;C09K19/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明;邱奕才 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种偶氮苯液晶光全息存储材料及其制备方法，包括二氧化硅、含偶氮苯基团化合物和含液晶基团化合物，偶氮苯基团与液晶基团的摩尔比为0.5～10∶1。偶氮苯液晶光全息存储材料使用的基质材料为二氧化硅结构，具有良好的高透光和低散射率，基质的折射率较低，与有着较高折射率的光折变化合物匹配可获得高的折射率调制度。液晶基团的存在可以强化偶氮苯基团遇光所产生的光折变效应，提高材料的衍射效率，进而增加了信息存储容量；液晶基团的规则排列不会受到热运动和非信号光的影响，数据存储时间大大延长。偶氮苯基团的顺反式异构体可在信号光的照射下相互转变，并诱导液晶基团的排列，数据可以反复擦除和写入。 | ||
| 搜索关键词： | 偶氮 液晶 全息 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种偶氮苯液晶光全息存储材料，其特征在于包括二氧化硅、含偶氮苯基团化合物和含液晶基团化合物，偶氮苯基团与液晶基团的摩尔比为0.5～10∶1。
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