[发明专利]绝缘体上硅的深槽隔离结构的填充方法

摘要

一种绝缘体上硅深槽隔离结构的介质填充方法，包括位于在半导体衬底上面设置的埋氧层，在埋氧层上设有N型顶层硅，在N型顶层硅表面刻蚀出深槽的形貌，深槽的填充步骤如下：在刻蚀顶层硅后通过干氧法生长第一层氧化层；在由干氧法生长第一层氧化层的侧壁上淀积第一层多晶硅；在纯多晶硅的表面进行湿氧法热生长第二层氧化层；最后在由湿氧法热生长第二层氧化层的侧壁上淀积第二层多晶硅。本发明的填充方法通过在由干氧法生长的第一层氧化层侧壁上淀积第一层纯多晶硅，一方面填充了深槽底部的横向过刻蚀的凹陷区，另一方面提高了深槽底部隔离氧化层的生长速率，从而保证了隔离氧化层厚度的均匀性，提高绝缘体上硅深槽隔离能力。

主权项

一种绝缘体上硅的深槽隔离结构的填充方法，所述深槽隔离结构包括：半导体衬底(11)，所述半导体衬底(11)上面设置有埋氧层(12)，所述埋氧层(12)上设有N型顶层硅(13)，所述N型顶层硅(13)表面刻蚀出深槽形貌并对所述深槽隔离结构进行介质填充，其特征在于，在所述N型顶层硅(13)进行刻蚀后进行如下步骤：(a)在所述深槽上采用干氧法生长第一层氧化层(14)；(b)用低压化学气相淀积方法淀积第一层多晶硅(16)；(c)用湿氧法热生长第二层隔离氧化层(17)；(d)淀积第二层多晶硅(18)，使所述绝缘体上硅的深槽内部完全填充。