[发明专利]一种栅电介质材料立方相HfO2薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910035389.2 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101660128A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 石磊;周越;刘治国;殷江 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种栅电介质材料立方相HfO2薄膜及其制备方法，通过掺杂Y2O3获得稳定的立方相的HfO2薄膜，Y2O3的掺杂量的摩尔百分比为0到28之间，所述HfO2在常温下为立方相，介电常数27.2。栅电介质材料立方相HfO2薄膜利用脉冲激光沉积技术，使用由Y2O3稳定的立方相HfO2陶瓷靶材，在高真空低氧分压下制备。本发明利用脉冲激光沉积的方法，采用金属氧化物Y2O3和HfO2为原材料，以两种材料的二元相图为依据，通过高温固相反应在常温下获得了常温下稳定的立方相HfO2，显著提高了其在常温下的介电常数，并制备得到EOT值小于1.5nmYSH薄膜，这对于HfO2这种最具潜力的栅介质材料在将来的应用中提供了新的活力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电介质 材料 立方 hfo sub 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种栅电介质材料立方相HfO2薄膜，其特征是掺杂Y2O3获得稳定的立方相的HfO2薄膜，Y2O3的掺杂量的摩尔百分比为0到28之间。
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