[发明专利]一种太阳能级硅锭切屑提纯利用工艺无效
| 申请号： | 200910029606.7 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101519204A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 曾华林;董志远;沈厚发;陈铁龙;倪屹;吴懿 | 申请（专利权）人： | 常州好懿光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213162江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能级硅锭切屑提纯利用工艺。主要应用于太阳能电池发电领域。它具有如下工艺步骤：a.对硅锭切屑料采用物理和化学方法提纯，得到冶金级硅粉；b.利用压机将冶金级硅粉压成块状硅；c.把块状硅粉放入多晶硅定向凝固炉的石英坩埚中进行定向凝固，得达到制备太阳能级电池的要求的多晶硅铸锭。本发明以低成本、高效率的回收硅锭切屑，解决了现有的满足光伏电池经济技术指标要求的硅材料紧缺，制约行业发展的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 切屑 提纯 利用 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能级硅锭切屑提纯利用工艺，其特征是具有如下工艺步骤：a. 物理提纯和化学提纯：对硅锭切屑料采用物理提纯方法和化学提纯方法，去除硅锭切屑料中的杂质，得到冶金级硅粉；b. 硅粉压制成块：利用压机将冶金级硅粉压成块状硅；c. 定向凝固方法提纯：把块状硅放入多晶硅定向凝固炉的石英坩埚中进行定向凝固，在1500~1600℃温度，利用杂质的分凝效应进行提纯；对B、P含量高的块状硅原料，采用氧化性气体及造渣剂进行精炼；凝固后得达到制备太阳能级电池的要求的多晶硅铸锭。
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