[发明专利]非晶铟锡氧化物薄膜及其在制备阻变存储元件中的应用无效
| 申请号： | 200910029312.4 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101527349A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋坤;夏奕东;徐波;国洪轩;殷江;刘治国 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C01G19/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻态，在一定条件下可以可逆地转变为与前不同的电阻态，在室温下，其结构为非晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非易失性阻变存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶铟锡 氧化物 薄膜 及其 制备 存储 元件 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种非晶铟锡氧化物薄膜，其特征在于该薄膜在室温下为非晶态，在外加电场情况下具有双极型阻变特性，薄膜厚度为20-500纳米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910029312.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有面板的家用器具
- 下一篇：嵌入式光谱及辐射实时定标装置
