[发明专利]Ag/硅复合结构紫外光探测器及其制备方法无效
| 申请号： | 200910028977.3 | 申请日： | 2009-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101483198A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 苏晓东;沈明荣 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ag/硅复合结构紫外光探测器，从上至下依次为Ag薄膜层、单晶硅基片和欧姆接触金属电极；所述Ag薄膜层的厚度为20～80nm；所述单晶硅基片的厚度为100～300um；所述欧姆接触金属电极为Au、Pt或Al电极，且为平面接触，厚度为100～500nm；所述Ag薄膜层和单晶硅基片的接触面为抛光面。本发明还公开了上述紫外光探测器的制备方法。本发明将Ag薄膜的光学特性结合到Si的单晶基片上来实现紫外光的光电响应，得到了一种新型的Ag/Si复合结构的紫外光探测器，为紫外光探测技术的发展做出了贡献。 | ||
| 搜索关键词： | ag 复合 结构 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种Ag/硅复合结构紫外光探测器，其特征在于：从上至下依次为Ag薄膜层、单晶硅基片和欧姆接触金属电极；所述Ag薄膜层的厚度为20～80nm；所述单晶硅基片的厚度为100～300um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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