[发明专利]一种评估Ⅲ族氮化物单晶表面位错的检测方法

摘要

本发明公开了一种通过原子力显微镜精确定位测定III族氮化物单晶表面位错类型并统计不同类型位错密度的检测方法，属于半导体材料质检领域。其目的是通过标记检测区域，利用原子力显微镜对标记区域表面形貌进行测试，然后将样品进行多次腐蚀，并在每次腐蚀后用原子力显微镜对标记的同一检测区域进行重复测试，多次腐蚀和测试后统计得到每个腐蚀位错坑的腐蚀速率，判定对应的位错类型，进而统计各类型位错的密度。本发明突破传统透射电子显微镜的位错检测方法，制样方法简单，位错类型判定准确高效，不仅可用于工业上各类半导体材料的质量检测，促进III族氮化物基光电器件在光电产业的发展，也能应用于关于薄膜材料位错腐蚀动力学的科学研究。

主权项

1.一种评估III族氮化物单晶表面位错的检测方法，其特征步骤包括：(1)、在III族氮化物单晶的待检样品表面上标记出检测区域；(2)、利用原子力显微镜定位腐蚀前样品的检测区域，扫描样品表面形貌；(3)、利用酸性或碱性的腐蚀性溶液对待检样品进行湿法腐蚀；(4)、用去离子水及有机溶剂清洗去除待检样品表面的腐蚀性溶液；(5)、利用原子力显微镜定位步骤(1)所述的检测区域，扫描样品并记录扫描范围内所有位错的数量及每个位错坑的横向面积和纵向深度参数；(6)、至少两次重复步骤(3)～步骤(5)，对待检样品进行定时腐蚀和表面形貌扫描，统计并记录每次扫描各位错坑的参数变化结果；(7)、对多次记录的位错坑参数结果进行统计分析，分别得出每个位错坑横向和纵向的腐蚀速率，根据腐蚀速率判定各位错对应的类型，并对所有位错进行按类型划分的数量统计。