[发明专利]以可饱和吸收体作为选频和调Q元件的双波长激光器及应用有效
| 申请号： | 200910013894.7 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101483309A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 于浩海;张怀金;王正平;王继扬;张行愚;蒋民华 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01S3/091 | 分类号： | H01S3/091;H01S3/098;H01S3/106;H01S1/02;G02F1/35 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵会祥 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以可饱和吸收体作为选频和调Q元件的双波长激光器及应用。双波长激光器，包括闪光灯或者激光二极管泵浦源，在适当抑制1.06微米激光的激光谐振腔中插入对1.05微米或1.08微米强吸收的可饱和吸收体，以激光材料为增益介质。通过可饱和吸收体Cr:YAG或半导体对1.05或者1.08微米激光强吸收、对1.06微米激光相对弱吸收的特点进行选频，与端面或者侧面泵浦的激光装置相结合，产生双波长脉冲激光，利用该激光的差频实现太赫兹输出。该激光器具有结构紧凑、操作简单、光束质量好、转换效率高、成本低，便于工业化大批量制造等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和 吸收体 作为 元件 波长 激光器 应用 | ||
【主权项】：
1. 双波长激光器，包括闪光灯或者激光二极管(LD)泵浦源，其特征在于在适当抑制1.06微米激光的激光谐振腔中插入对1.05微米或1.08微米强吸收的可饱和吸收体，以激光材料为增益介质；其中，所述的激光材料是下列之一：(1)Nd:YAG、Nd:YAP、Nd:GGG、Nd:CNGG、Nd:CLNGG、Nd:RVO4(R＝Gd，Lu、Y或La)晶体，晶体双面抛光，不镀膜或者镀以对泵浦光和双波长都抗反射的介质膜；(2)Nd:YAG、Nd:YAP、Nd:GGG、Nd:CNGG、Nd:CLNGG、Nd:RVO4(R＝Gd，Lu、Y或La)陶瓷，陶瓷双面抛光，不镀膜或者镀以对泵浦光和双波长都抗反射的介质膜；所述的可饱和吸收体是Cr:YAG晶体或者半导体，双面抛光且镀以对双波长都抗反射的介质膜。
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