[发明专利]以可饱和吸收体作为选频和调Q元件的双波长激光器及应用

权利要求书

1.双波长激光器，包括闪光灯或者激光二极管泵浦源，其特征在于在适当抑制1.06微米激光的激光谐振腔中插入对1.05微米或1.08微米强吸收的可饱和吸收体，以激光材料为增益介质；其中，所述的激光材料是下列之一：

(1)Nd:YAG、Nd:YAP、Nd:GGG、Nd:CNGG、Nd:CLNGG、R＝Gd、Lu、Y或La的Nd:RVO₄晶体，晶体双面抛光，不镀膜或者镀以对泵浦光和双波长都抗反射的介质膜；

(2)Nd:YAG、Nd:YAP、Nd:GGG、Nd:CNGG、Nd:CLNGG、R＝Gd、Lu、Y或La的Nd:RVO₄陶瓷，陶瓷双面抛光，不镀膜或者镀以对泵浦光和双波长都抗反射的介质膜；

所述的可饱和吸收体是Cr:YAG晶体或者半导体，双面抛光且镀以对双波长都抗反射的介质膜。

2.如权利要求1所述的双波长激光器，其特征在于以激光二极管作为泵浦源，以Nd:YAG晶体作为增益介质，以Cr:YAG晶体作为可饱和吸收体。

3.权利要求1所述的双波长激光器的应用，利用激光器同时输出波长相近的双波长脉冲激光的差频获得太赫兹辐射。

4.如权利要求3所述的双波长激光器的应用，其特征在于具体方法如下：

利用聚焦系统将双波长脉冲激光照射到谐振腔外放置的合适的非线性材料上，通过腔外差频产生太赫兹辐射；或者将非线性材料直接放入激光谐振腔内，通过腔内差频产生太赫兹辐射。