[发明专利]接合方法及接合体有效
申请号: | 200910007995.3 | 申请日: | 2009-03-06 |
公开(公告)号: | CN101527257A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 足助慎太郎 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B41J2/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供在一部分的区域能够部分地以高的尺寸精度牢固地,且在低温下效率良好地接合两个基材的接合方法、及利用所述接合方法,在一部分的区域部分地接合两个基材而成的接合体。本发明的接合方法包括:准备第一基材(21)和第二基材(22)的工序;在第一基材(21)上的接合膜形成区域(41)以外的区域设定具有相对于含有硅酮材料的液态材料(30)的疏液性的疏液性区域(43)的工序;向第一基材(21)上供给所述液态材料(30),在接合膜形成区域(41)上形成液态被膜(31)的工序;干燥液态被膜(31),得到接合膜(3)的工序;通过向接合膜(3)赋予能量,在接合膜(3)显示粘接性的工序;通过贴合第一基材(21)和第二基材(22),得到经由接合膜(3)部分地接合这些而成的接合体的工序。 | ||
搜索关键词: | 接合 方法 | ||
【主权项】:
1.一种接合方法,其特征在于,包括:第一工序,其中,准备基材和经由接合膜与所述基材接合的粘附体;第二工序,其中,通过对所述基材上的应形成所述接合膜的接合膜形成区域以外的区域的至少一部分赋予相对于含有硅酮材料的液态材料的疏液性,设定疏液性区域;第三工序,其中,通过向所述基材上供给所述含有硅酮材料的液态材料,利用所述液态材料被所述疏液性区域排斥的性质,在所述接合膜形成区域有选择地形成液态被膜;第四工序,其中,干燥所述液态被膜,在所述接合膜形成区域得到所述接合膜;第五工序,其中,通过对所述接合膜赋予能量来使所述接合膜的表面附近显示粘接性,并利用该粘接性,使所述接合膜和所述粘附体在所述接合膜形成区域部分地接合,从而得到接合体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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