[发明专利]具有切截区域的熔断器及具有该熔断器的熔断器组件结构无效
| 申请号： | 200910000704.8 | 申请日： | 2009-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101488427A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 宋根洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/046 | 分类号： | H01H85/046;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种具有切截区域的熔断器及具有该熔断器的熔断器组件结构，其中熔断器的面积可与半导体器件的集成度成比例地减少。熔断器包括主熔断器区域，以及从该主熔断器区域延伸的多个切截区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 区域 熔断器 组件 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种熔断器，包括：主熔断器区域；以及从所述主熔断器区域延伸的多个切截区域。
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