[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 200880130511.8 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102106000A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | D.A.法塔尔;D.斯图尔特 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;王洪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的各种实施例涉及半导体发光器件，其提供能量高效的、超过10G比特/秒的高速的调制速率。这些器件包括嵌入在两个相对较厚的半导体层之间的发光层。该能量高效的、高速的调制速率是通过由半导体材料组成的与发光层相邻的层得到的，所述半导体材料具有在施加适当的发光电压时便于将载流子注入到发光层中以用于发光以及在施加适当的光淬灭电压时便于移除载流子的电子状态。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件（700、720、800），包括：发光层（704、722、804），其具有第一电子能量状态和能量相对更高的第二电子能量状态；第一层（702、806），其被安置为与所述发光层相邻，所述第一层具有较之所述第二电子能量状态处于相对更低能量的第三电子能量状态；以及第二层（706、808），其被安置为与所述第一层相对地与所述发光层相邻，所述第二层具有较之所述第一电子能量状态处于相对更高能量的第四电子能量状态，其中当发光电压被施加到所述发光器件时，所述第三和第四电子能量状态偏移，从而电子能够在所述发光层中与空穴结合并且光被发射，以及其中当光淬灭电压被施加到所述发光器件时，所述第三和第四电子能量状态的能量偏移以防止电子在所述发光层中与空穴结合。
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