[发明专利]用于形成绝缘体上半导体器件的改进衬底组合物和方法有效
| 申请号： | 200880119205.4 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101884100A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | M·J·德内卡;A·J·埃利森;K·P·加德卡里 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于制造绝缘体上半导体结构的方法和装置包括：对供体单晶半导体晶片的注入表面进行离子注入工艺处理，以产生该供体半导体晶片的剥离层；利用电解将该剥离层的注入表面接合至玻璃衬底，其中该玻璃衬底的液相粘度约为100,000泊或更高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 绝缘体 半导体器件 改进 衬底 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上半导体结构，包括：玻璃衬底；以及通过电解接合至所述玻璃衬底的单晶半导体层，其中所述玻璃衬底的组成使其液相粘度约为100,000泊或更高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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