[发明专利]包含绝缘层的氧化物半导体器件和使用该器件的显示装置有效
| 申请号： | 200880118780.2 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101884109A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 佐藤步;林亨;薮田久人;渡边智大 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨小明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种包括氧化物半导体层和与氧化物半导体层接触的绝缘层的氧化物半导体器件，其中，绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 绝缘 氧化物 半导体器件 使用 器件 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体器件，包括：氧化物半导体层；和与所述氧化物半导体层接触的绝缘层，其中，所述绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。
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