[发明专利]β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末及其制造方法有效
| 申请号： | 200880111063.7 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101821356A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 酒井拓马;坂田信一 | 申请（专利权）人： | 宇部兴产株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/64 | 分类号： | C09K11/64;C09K11/08;H01J1/63;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可用于荧光显示管(VFD)、场致发射显示器(FED)、等离子体显示屏(PDP)、阴极射线管(CRT)、发光二极管(LED)等的更高亮度的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体。通过把粒径2μm以上、纵横比的平均值为1.3以下的α型氮化硅粒子、含AlN的成为铝源的物质、与金属Ln的氧化物或通过热解能形成氧化物的前体物质以成为通式Si6-zAlzOzN8-z：Lnx(式中，0＜z＜4.2，Ln为Eu)的方式进行混合，在0.05MPa以上100MPa以下的氮气氛中、于1700～2100℃进行焙烧，可得到纵横比的平均值为小于1.5的新型高亮度β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 硅铝氧氮 陶瓷 荧光 粉末 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粒子，其在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶了Eu(铕)，其特征在于，其纵横比小于1.5。
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