[发明专利]β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末及其制造方法

权利要求书

1.一种β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末，其是在具有β型Si₃N₄晶体 结构的晶体中固溶了Eu的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粒子，其特征在于， 所述粉末是将原料焙烧而得到的晶粒，是由长轴/短轴之比，即纵横比 的平均值小于1.5的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粒子构成的β-硅铝氧氮 陶瓷荧光体粉末，所述β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末的粒度分布曲线中 的中值粒径D₅₀为3.0μm～10μm。

2.按照权利要求1所述的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末，其特征 在于，所述晶粒的粒子大小选自3.0～7.5μm、4.7～9.4μm、3.4～12μm。

3.按照权利要求2所述的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末，其特征 在于，所述晶粒的粒子大小为3.0～7.5μm。

4.按照权利要求3所述的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末，其中，不 含纵横比大于2的荧光体粒子。

5.按照权利要求1～4任一项所述的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉 末，其特征在于，上述β-硅铝氧氮陶瓷荧光体用通式Si_6-zAl_ZO_ZN_8-z: Eu_x表示，式中，0＜z＜4.2，0.005＜x＜0.08。

6.权利要求1～5任一项所述β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末的制造 方法，其特征在于，将一次粒子的粒径为2μm以上、纵横比的平均值 为1.3以下的α型氮化硅粒子、含AlN的成为铝源的物质、和Eu的氧 化物或通过热解形成氧化物的前体物质以成为通式Si_6-zAl_zO_zN_8-z:Eu_x的方式进行混合，式中，0＜z＜4.2，0.005＜x＜0.08，在0.05MPa～100MPa 的氮气氛中、于1700～2100℃进行焙烧。

7.按照权利要求6所述的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末的制造方 法，其特征在于，在焙烧后，于含酸的溶液中实施洗涤处理。

8.按照权利要求6或7所述的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末的制造 方法，其特征在于，焙烧后，于选自氮、氨、氢的1种或2种以上的 气氛中，在300℃～1000℃的温度范围进行加热处理。

9.一种照明器具，其由发出300～500nm波长的光的LED与用于吸 收上述LED的光而配置的上述权利要求1～5任一项所述的β-硅铝氧 氮陶瓷荧光体粉末构成。

10.一种图像显示装置，其由激发源与权利要求1～5任一项所述 的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末构成。

11.按照权利要求10所述的图像显示装置，其激发源为电子束、 电场、真空紫外线、紫外线。