[发明专利]微光刻投射曝光设备有效

专利信息
申请号: 200880110591.0 申请日: 2008-09-29
公开(公告)号: CN101821678A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 奥雷利安·多多克;萨沙·布莱迪斯特尔;奥拉夫·康拉迪;阿里夫·卡齐 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT股份公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种微光刻投射曝光设备(10),包括产生投射光的主照明系统(12)、投射物镜(20;120)和校正光学系统。校正光学系统包括副照明系统(30;130),其在基准表面(48;148)中产生校正光的强度分布;和校正元件(32;132),其包括加热材料并布置在与该基准表面(48;148)至少大体上光学共轭的平面(38;174)中,以使校正光和投射光在它们打到校正元件(32;132)之前经过包含在投射物镜(20;120)中的至少一个透镜。校正光和投射光两者经过的所有透镜(34;L1至L5)都由透镜材料制成,透镜材料相比包含在校正元件内的加热材料对校正光具有更低的吸收系数。
搜索关键词: 微光 投射 曝光 设备
【主权项】:
一种微光刻投射曝光设备(10),包括:a)主照明系统(12),在掩模平面(36;136)中产生投射光的强度分布;b)投射物镜(20;120);和c)校正光学系统,包括-副照明系统(30,30’,30”’,30”’),在基准表面(48;148)中产生校正光的强度分布;和-校正元件(32;132),包括加热材料并布置在与所述基准表面(48;148)至少基本光学共轭的平面(38;174)中,以使所述校正光和所述投射光在打到所述校正元件(32;132)上之前经过包含在投射物镜(20;120)中的至少一个透镜(34;L1至L5),其中所述校正光和所述投射光两者都经过的所有透镜(34;L1至L5)由透镜材料制成,所述透镜材料相比包含在所述校正元件(32;132)内的加热材料对所述校正光具有更低的吸收系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡尔蔡司SMT股份公司,未经卡尔蔡司SMT股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880110591.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top