[发明专利]通过光通量加热晶片的方法有效
申请号: | 200880109291.0 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101855709A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | M·布吕埃尔 | 申请(专利权)人: | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及一种采用至少一个光流脉冲加热包括至少一个待加热层(2)以及子层(4)的板(1)的方法,其中所述方法包括以下步骤:选择光流(7)和待加热层(2),使得只要待加热层的温度处于低温范围(PBT)内,则待加热层(2)对流的吸收系数保持是低的,并且当待加热层的温度进入到高温范围(PHT)内时,吸收系数显著增加;选择子层(4),使得在所述低温范围(PBT)内所选波长的所述光流的吸收系数是高的,并且当所述子层受到所述光流作用时,温度进入到高温范围(PHT);以及向所述板(1)施加所述光流(7)。 | ||
搜索关键词: | 通过 光通量 加热 晶片 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在至少一个光通量脉冲的作用下至少局部加热晶片(1)的方法,其中晶片(1)包括至少一个待加热层(2)以及与所述待加热层至少局部相邻的子层(4),所述方法包括以下步骤:选择光通量(7)其中波长使得只要所述待加热层的温度处于低温范围(PBT)内,则待加热层(2)对所述通量的吸收系数是低的,并且当待加热层的温度进入大约处于所述低温范围以上的高温范围(PHT)内时,所述吸收系数显著增加,以及其中脉冲强度和脉冲持续时间使得当不存在所述子层时,待加热层的温度保持在所述低温范围内;选择子层(4)其中在所述低温范围(PBT)内,所选波长的所述光通量的吸收系数是高的以及其中当所述子层受到光通量作用时,温度进入到高温范围(PHT)内;以及经由所述待加热层(2)的与所述子层(4)相对的表面(3)对所述晶片(1)至少局部施加所述光通量(7);从而在第一阶段中,光通量(7)将子层(4)从其初始温度加热到至少处于所述高温范围(PHT)内的温度,在第二阶段中,子层(4)通过热扩散将待加热层(2)的相邻部分加热到处于所述高温范围(PHT)内的温度,以及在第三阶段中,该相邻部分因此成为吸收性的并在待加热层(2)中产生吸收热前缘(10),所述吸收热前缘(10)中的温度处于所述高温范围(PHT)内,在热前缘(10)的向前热扩散以及经由待加热层(2)余下的还不是吸收性的部分到达所述热前缘的所述光通量(7)的热能供应的联合或双重作用下,所述吸收热前缘(10)朝所述前表面(3)推进。
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