[发明专利]应用酸洗提供提纯的硅晶体无效

专利信息
申请号: 200880108159.8 申请日: 2008-07-23
公开(公告)号: CN101802271A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 建·J·陈;斯科特·尼科尔 申请(专利权)人: 6N硅公司
主分类号: C30B9/10 分类号: C30B9/10;C01B33/037;C30B29/06;C30B33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 陈平
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 发明提供一种用于提纯硅的方法,其中将硅从溶剂金属中结晶。所述方法包括下列步骤:提供含有硅、溶剂金属和杂质的熔融液体,将所述熔融液体冷却以形成第一硅晶体和第一母液,将所述第一硅晶体与所述第一母液分离,将所述第一硅晶体与能够溶解所述第一母液的化合物接触,并且从清洗溶液分离出精选晶体。
搜索关键词: 应用 酸洗 提供 提纯 晶体
【主权项】:
一种用于提纯硅的方法,所述方法包括:(a)由硅源和溶剂金属形成第一熔融液体,所述溶剂金属选自下列各项:铜、锡、锌、锑、银、铋、铝、镉、镓、铟、镁、铅,它们的合金和它们的组合;(b)将所述第一熔融液体与第一气体接触,以提供浮渣和第二熔融液体;(c)将所述浮渣与所述第二熔融液体分离;(d)冷却所述第二熔融液体,以形成第一硅晶体和第一母液;(e)将所述第一硅晶体与所述第一母液分离;(f)将所述第一硅晶体与酸、碱、醇或能够溶解所述溶剂金属的化学品接触,以提供精选硅晶体和用过的酸;和(g)将所述精选硅晶体与所述用过的酸分离。
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