[发明专利]等离体子增强型电磁辐射发射器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880100629.6 申请日: 2008-07-16
公开(公告)号: CN101765764A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: D·法塔尔;N·J·奎托里亚诺;H·曹;M·菲奥伦蒂诺;T·I·卡明斯 申请(专利权)人: 惠普开发有限公司
主分类号: G01N21/27 分类号: G01N21/27
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李娜;王洪斌
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的各个实施例涉及表面等离体子增强型电磁辐射发射器件并且涉及制造这些器件的方法。在本发明的一个实施例中,一种电磁辐射发射器件(100)包括多层核(106)、金属器件层(108)以及衬底(104)。多层核(106)具有内层(110)和外层(112),其中该外层被配置为围绕该内层的至少一部分。金属器件层(108)被配置成围绕该外层的至少一部分。衬底(104)具有与内层(110)电通信的底部传导层(118)以及与金属器件层(108)电通信的顶部传导层(122)以使得当在底部传导层和顶部传导层之间施加适当的电压时所暴露的部分发射表面等离体子增强的电磁辐射。
搜索关键词: 离体子 增强 电磁辐射 发射 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种电磁辐射发射器件(100),包括:多层核(106),所述多层核具有内层(110)和外层(112),其中该外层被配置为围绕该内层的至少一部分;金属器件层(108),其被配置成围绕该外层的至少一部分;以及衬底(104),所述衬底具有与所述内层电通信的底部传导层(118)以及与所述金属器件层电通信的顶部传导层(122)以使得当在所述底部传导层和所述顶部传导层之间施加适当的电压时所暴露的部分发射表面等离体子增强的电磁辐射。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普开发有限公司,未经惠普开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880100629.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top