[发明专利]用于形成双金属栅极结构的方法

摘要

一种方法包括：在具有第一和第二阱区(16、18)的半导体层(13)上形成第一栅极电介质层(26)；在第一栅极电介质层上形成第一金属栅极电极层(28)；在第一金属栅极电极层上并且毗邻第一栅极电介质层和第一金属栅极电极层的侧壁形成侧壁保护层(36)；在第二阱区上形成沟道区层(40)；在沟道区层上形成第二栅极电介质层(42)；形成第二金属栅极电极层(44)；以及在第一阱区上形成包括第一栅极电介质层和第一金属栅极电极层中的每一个的一部分的第一栅极堆叠(58)并且在沟道区层上和第二阱区上形成包括第二栅极电介质层和第二金属栅极电极层中的每一个的一部分的第二栅极堆叠(66)。

主权项

1.一种用于形成半导体结构的方法，该方法包括：在半导体层上形成第一栅极电介质层，所述半导体层包括第一阱区和第二阱区；在所述第一栅极电介质上形成第一金属栅极电极层；在所述第一金属栅极电极层上形成侧壁保护层，所述侧壁保护层毗邻所述第一栅极电介质层的侧壁和所述第一金属栅极电极层的侧壁；在形成所述侧壁保护层之后在所述第二阱区上形成沟道区层；在所述沟道区层上形成第二栅极电介质层；在所述第二栅极电介质层上形成第二金属栅极电极层，其中所述第二金属栅极电极层是不同于所述第一金属栅极电极层的金属；以及在所述第一阱区上形成包括所述第一栅极电介质层和所述第一金属栅极电极层中的每一个的一部分的第一栅极堆叠并且在所述沟道区层上和所述第二阱区上形成包括所述第二栅极电介质层和所述第二金属栅极电极层中的每一个的一部分的第二栅极堆叠。