[发明专利]用于在装置的表面上制备导电应变传感器的方法无效
| 申请号： | 200880022696.0 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101720423A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 雷蒙德·特克;亨德里克·恩廷;罗兰·安东尼·塔肯;亨德里克·伦德英;勒内·约斯·霍本 | 申请（专利权）人： | 荷兰应用科学研究会(TNO) |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张英 |
| 地址： | 荷兰代*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于在装置的表面上制备测定装置表面处应变的导电应变传感器的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供一种装置；(b)可选地在装置的表面上施加绝缘层；(c)在步骤(b)中获得的绝缘层上建立第一金属的颗粒分布；以及(d)通过无电电镀工艺或电沉积工艺在如步骤(c)中获得的至少部分第一金属的颗粒分布上沉积第二金属的层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 装置 表面上 制备 导电 应变 传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在装置的表面上制备测定所述装置表面处应变的导电应变传感器的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供一种装置；(b)可选地在所述装置的表面上施加绝缘层；(c)在步骤(b)中获得的所述绝缘层上建立第一金属的颗粒分布；以及(d)通过无电电镀工艺或电沉积工艺在如步骤(c)中获得的至少部分的所述第一金属的所述颗粒分布上沉积第二金属的层。
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