[发明专利]Cu系配线膜有效
| 申请号： | 200880022615.7 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101689502A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 村田英夫 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/285;H01L23/52;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱 丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种可以提高与基板的密合性的新型Cu系配线膜。依照本发明，提供一种Cu系配线膜，其是形成于玻璃基板上的具有Cu氧化物的Cu系配线膜，其特征在于，在将Cu的主晶面(111)面的X射线衍射峰强度设为Cu(111)，将Cu2O的主晶面(111)面的X射线衍射的峰强度设为Cu2O(111)的情况下，其强度比Cu(111)/Cu2O(111)的值处于0.8～2.5的范围。该Cu系配线膜的膜厚优选为200～500nm。 | ||
| 搜索关键词： | cu 系配线膜 | ||
【主权项】：
1.一种Cu系配线膜，其是形成于玻璃基板上的具有Cu氧化物的Cu系配线膜，其特征在于，在将Cu的主晶面(111)面的X射线衍射峰强度设为Cu(111)，将Cu2O的主晶面(111)面的X射线衍射的峰强度设为Cu2O(111)时，峰强度比Cu(111)/Cu2O(111)的值处于0.8～2.5的范围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社，未经日立金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880022615.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
