[发明专利]密封技术和气密密封的装置有效
申请号: | 200880021111.3 | 申请日: | 2008-06-17 |
公开(公告)号: | CN101689614A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | B·G·艾特肯;C·P·安;M·A·凯斯达 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;C23C14/54;C03C3/155;C23C14/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沙永生;周承泽 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文描述用于减少气密密封装置所需时间的密封方法以及所得气密密封的装置(如气密密封的OLED装置)。该密封方法包括以下步骤:(1)冷却未包封的装置;(2)在该冷却的装置的至少一部分上沉积密封材料以形成包封装置;和(3)热处理该包封的装置以形成气密密封的装置。在一种实施方式中,该密封材料是低液相线温度(LLT)无机材料,例如氟磷酸锡玻璃、钨掺杂的氟磷酸锡玻璃、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃。在另一种实施方式中,该密封材料是含Sn2+无机氧化物材料,例如SnO、SnO+P2O5和SnO+BPO4。 | ||
搜索关键词: | 密封 技术 气密 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于减少对装置进行气密密封所需时间的方法,所述方法包括以下步骤:冷却未包封的装置;在所述冷却的装置的至少一部分上沉积密封材料以形成包封的装置;和热处理所述包封的装置以形成气密密封的装置,其中所述密封材料是低液相线温度无机材料或含Sn2+无机氧化物材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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