[发明专利]单P-N结串联光伏器件有效
| 申请号： | 200880020929.3 | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101720511A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | W·瓦鲁奇威兹;J·W·艾格尔三世;K·M·于 | 申请（专利权）人： | 罗斯特雷特能源实验室公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种单P-N结太阳能电池，其具有用于电荷分离的两个耗尽区同时允许电子和空穴复合，从而与太阳能电池的两个耗尽区相关的电压将叠加起来。该单p-n结太阳能电池包括在P-N结的一侧上形成的InGaN或InAlN合金，以及在P-N结的另一侧上形成的Si，以仅通过单P-N结产生双结(2J)串联太阳能电池的特征。具有串联太阳能电池特征的单P-N结太阳能电池将获得超过30％的能量转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 串联 器件 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其包括：p型层；n型层；单p-n结，所述单p-n结位于所述p型层和所述n型层之间；和多个耗尽区，所述多个耗尽区用于与所述单p-n结相关的电荷分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
