[发明专利]薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂有效
| 申请号： | 200880018128.3 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101681929A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 前田真一;岸冈高广 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C08G59/26;H01L21/312;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种新型栅极绝缘膜形成剂，所述的栅极绝缘膜形成剂不仅考虑了栅极绝缘膜刚刚制作完成后的初期电气特性，而且还考虑了在经过使用栅极绝缘膜制作有机薄膜晶体管时的其他工序之后的电气特性、所制作的元件的电气特性方面的可靠性。作为本发明的解决课题的方法是，提供一种薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂，其特征在于，含有下述低聚物或聚合物以及溶剂，所述低聚物或聚合物含有具有三嗪三酮环的重复单元，所述三嗪三酮环具有含羟烷基的基团作为氮原子上的取代基，并提供由该薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂得到的薄膜晶体管用栅极绝缘膜和具有该绝缘膜的薄膜晶体管、以及它们的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 晶体 管用 栅极 绝缘 形成 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂，其特征在于，含有下述低聚物或聚合物，所述低聚物或聚合物含有具有三嗪三酮环的重复单元，所述三嗪三酮环具有含羟烷基的基团作为氮原子上的取代基。
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