[发明专利]等离子体辅助合成无效
| 申请号： | 200880016244.1 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101730716A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | N·奥尼尔;S·霍尔;C·鲍赫;G·利波尔德;R·德尔特舍维 | 申请（专利权）人： | REV可再生能源投资公司 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60;C08G79/00;B01J19/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邓毅 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明的目的在于研发用于等离子体辅助合成卤化的聚硅烷和聚锗烷的装置和方法，其中至少一种反应组分以气态形式存在并且通过来自等离子体区的反应性粒子激发，并且随后与在反应室内以蒸汽或气态形式存在的至少一种其它反应组分进行反应。可能的是选自SiCl4、SiF4、GeCl4、GeF4的卤代硅烷或卤代锗烷与H2的反应。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 辅助 合成 | ||
【主权项】：
用于等离子体辅助合成卤化的聚硅烷和聚锗烷的装置，其特征在于，设置了至少一个等离子体源和用于引导所选择的反应物中的至少一种，卤代硅烷和/或卤代锗烷和/或氢和/或惰性气体，通过等离子体以电离并解离的设备，且设置了至少一个反应区和至少一个静止区。
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