[发明专利]蚀刻液有效
| 申请号： | 200880011921.0 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101657887A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 板野充司;中村新吾;毛塚健彦;渡边大祐 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供伴随药液蒸发等的组成变化少、药液更换频度少，而且经时的蚀刻速率变化也少，能够均匀蚀刻硅氧化膜的蚀刻液。具体地涉及含有氢氟酸(a)、氟化铵(b)以及氟化氢与沸点比氨高的碱的盐(c)的蚀刻液，氟化铵(b)的浓度为8.2mol/kg以下，氟化铵(b)和氟化氢与沸点比氨高的碱的盐(c)的合计为9.5mol/kg以上，还涉及该蚀刻液的制造方法以及使用该蚀刻液的蚀刻方法。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻液，其特征在于：该蚀刻液含有氢氟酸(a)、氟化铵(b)以及氟化氢与沸点比氨高的碱的盐(c)，氟化铵(b)的浓度为8.2mol/kg以下，氟化铵(b)和氟化氢与沸点比氨高的碱的盐(c)的合计为9.5mol/kg以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
