[发明专利]将无机层沉积到热转移层上的方法无效
| 申请号： | 200880007312.8 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101626901A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | C·K·钱德拉赛卡兰 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | B41M3/00 | 分类号： | B41M3/00;B41M5/26;B41M7/00;G02B5/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明为将无机层(50)沉积到激光诱导的热转移层上的方法，以及沉积到由所述方法制备的沉积的转移层上的方法。在一个实施方案中，将转移层设置在包括具有黑色矩阵(30)的玻璃基底(20)的受体元件上，以便通过激光诱导热转移形成包含红色(40R)、蓝色(40B)和绿色(40G)透明像素的滤色器，并且无机层(50)为氧化铟锡透明电极接地层。将无机层沉积到转移层上的方法包括：使激光诱导的热转移层暴露于紫外线辐射以制备曝光的转移层，使用清洁流体来处理所述曝光的转移层以制备洁净的转移层，以及将无机层沉积使其接触洁净的转移层以制备沉积的转移层。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 沉积 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.将无机层沉积到热转移层上的方法，所述方法包括：使激光诱导的热转移层暴露于紫外线辐射以制备曝光的转移层，使用清洁流体来处理所述曝光的转移层以制备洁净的转移层，以及将无机层沉积使其接触所述洁净的转移层以制备沉积的转移层。
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