[发明专利]用于高效率串叠型太阳能电池的低电阻隧道结无效
| 申请号： | 200880005279.5 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101675527A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 瓦迪斯瓦夫·瓦卢凯维奇;乔尔·W·阿格;余健文 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括：包含第一材料的第一光伏电池和包含第二材料并与第一光伏电池串联连接的第二光伏电池。邻近第二材料的第一材料的导带边缘高于邻近所述材料的第二材料的价带边缘至多0.1eV。优选地，第一光伏电池的第一材料包含In1-xAlxN或In1-yGayN，第二光伏电池的第二材料包含硅或锗。或者，第一光伏电池的第一材料包含InAs或InAsSb，第二光伏电池的第二材料包含GaSb或GaAsSb。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高效率 串叠型 太阳能电池 电阻 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：包含第一材料的第一光伏电池；和包含第二材料并与所述第一光伏电池串联连接的第二光伏电池；并且其中与所述第二材料相邻的所述第一材料的导带边缘比与所述材料相邻的所述第二材料的价带边缘高至多0.1eV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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