[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体结构包括多个半导体区域，一对介电区域以及一对终端。该结构的第一和第二区域分别被耦联至第一和第二终端。该结构的第三区域设置在第一和第二区域之间。该介电区域延伸进第三区域内。存在于第三区域的掺杂杂质的浓度以及介电区域间的距离限定了该结构的电特性。该结构的电特性与介电区域的宽度的宽度无关。第一和第二区域具有相反的导电类型。该结构可选地包括延伸入第三区域内并且包围部分该对介电区域的第四区域。介电区域和第四区域之间的界面区包括有意导入电荷。

主权项

1.一种半导体结构，其包括：耦联至所述结构的第一终端的第一区域；耦联至所述结构的第二终端的第二区域；设置在所述第一和第二区域之间具有单一导电类型的第三区域；以及沿着所述第三区域的深度延伸第一距离的至少第一和第二介电区域，其中在所述第三区域中存在的掺杂杂质的浓度以及所述至少第一和第二介电区域之间的距离限定了所述半导体结构的电特性，其中所述电特性与所述介电区域的宽度无关，并且其中所述第一和第二区域具有相反的导电类型。