[实用新型]晶体硅太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，其结构依次为正面栅状金属电极22、窗口层23、第二导电类型重掺杂层24、第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底26、背面电极27，本实用新型通过设置所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24就能够降低所述窗口层23带来的复合损失，通过设置所述窗口层23又能够降低所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24带来的欧姆损失，并同时降低所述正面栅状金属电极22带来的遮挡损失，由此可将通常的晶体硅太阳能电池的转换效率提高至少10％以上。

主权项

1、一种晶体硅太阳能电池，其特征在于：其结构依次为正面栅状金属电极(22)、窗口层(23)、第二导电类型重掺杂层(24)、第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底(26)、背面电极(27)，正面栅状金属电极(22)和窗口层(23)相连接并形成欧姆接触，第二导电类型重掺杂层(24)的厚度为10nm～100nm，第二导电类型重掺杂层(24)与第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底(26)一起构成同质p-n结。