[实用新型]一种扫描电子显微镜原位电学测量装置无效
| 申请号： | 200820078605.2 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN201149574Y | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张泽;王珂;刘攀;韩晓东 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01N13/10 | 分类号： | G01N13/10 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种在扫描电子显微镜中对待测微型元件进行电学测量的装置，具体为一种扫描电子显微镜原位电学测量装置，属于纳米材料性能原位测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分为绝缘衬底(1)，所述的电路部分包括两个固定在绝缘衬底(1)上的电极(2)、待测元件(4)和相变材料非晶薄膜(5)；所述的相变材料非晶薄膜均匀分布在两金属电极之间，待测元件位于相变材料非晶薄膜中或者集成在金属电极上。本实用新型中的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扫描 电子显微镜 原位 电学 测量 装置 | ||
【主权项】：
1、一种扫描电子显微镜中原位电学测量装置，其装置特征在于：包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分为绝缘衬底(1)，所述的电路部分包括固定在绝缘衬底(1)上的电极(2)、待测元件(4)和相变材料非晶薄膜(5)；所述的相变材料非晶薄膜(5)均匀分布在两金属电极(2)之间，待测元件(4)位于相变材料非晶薄膜(5)中或者集成在金属电极(2)上；所述的相变材料非晶薄膜(5)在电子束或激光辐照下能够从非晶相变为晶体电阻降低，在高电压或电脉冲或激光照射下又从晶体转变为非晶。
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