[实用新型]锂电池充电器控制集成电路及其短路保护电路无效

专利信息
申请号: 200820048930.4 申请日: 2008-06-06
公开(公告)号: CN201204471Y 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 吴纬国;范建新 申请(专利权)人: 广州南科集成电子有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510663广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种避免正负极端口短路的锂电池充电器控制集成电路及其短路保护电路。本实用新型的短路保护电路包括锂电池正、负极端口(BT+、BT-)、电源输入端(VDD)、异或门(XOR)、两个P-MOSFET(P87、P88)、两个N-MOSFET(N78、N79),正、负极端口(BT+、BT-)分别与两个N-MOSFET(N78、N79)的栅极相连接,两个N-MOSFET(N78、N79)的源极、两个P-MOSFET(P87、P88)的栅极均接地,两个P-MOSFET(P87、P88)的源极均与电源输入端(VDD)相连接,第一P-MOSFET(P87)、第一N-MOSFET(N78)的漏极均与异或门(XOR)的一个输入端相连接,第二P-MOSFET(P88)、第二N-MOSFET(N79)的漏极均与异或门(XOR)的另一个输入端相连接。
搜索关键词: 锂电池 充电器 控制 集成电路 及其 短路 保护 电路
【主权项】:
1、一种锂电池充电器控制集成电路的短路保护电路,其特征在于:包括锂电池正极端口(BT+)、负极端口(BT—)、电源输入端(VDD)、接地端、异或门(XOR)、第一P—MOSFET(P87)、第一N—MOSFET(N78)、第二P—MOSFET(P88)、第二N—MOSFET(N79),所述负极端口(BT—)、所述正极端口(BT+)分别与所述第一N—MOSFET(N78)、所述第二N—MOSFET(N79)的栅极相连接,所述第一N—MOSFET(N78)的源极、所述第二N—MOSFET(N79)的源极、第一P—MOSFET(P87)的栅极、所述第二P—MOSFET(P88)的栅极均与所述接地端相连接,所述第一P—MOSFET(P87)的源极、所述第二P—MOSFET(P88)的源极均与所述电源输入端(VDD)相连接,所述第一P—MOSFET(P87)、所述第一N—MOSFET(N78)的漏极均与所述异或门(XOR)的一个输入端相连接,所述第二P—MOSFET(P88)、所述第二N—MOSFET(N79)的漏极均与所述异或门(XOR)的另一个输入端相连接,所述负极端口(BT—)与所述正极端口(BT+)的电压相等时,所述异或门(XOR)的输出端输出低电平以使充电电路停止充电。
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