[发明专利]具有电子复合抑制结构层的染料敏化纳米薄膜太阳电池及制备无效

专利信息
申请号: 200810244016.1 申请日: 2008-12-18
公开(公告)号: CN101447342A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 邹志刚;田汉民;张继远;元世魁;张晓波;王湘艳;田志鹏;薛国刚;于涛 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/004;H01M14/00
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 代理人: 汤志武;王鹏翔
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 具有电子复合抑制结构层的染料敏化纳米薄膜太阳电池,电池结构为ITO/TiO2电极并吸附染料分子/电解质/电子复合抑制结构/Pt对电极/ITO,且在ITO基板上将吸附染剂分子之TiO2电极与对电极间加入电解质组成电池直接叠加在一起,并使用封装树脂将电池周边封装密闭电解液;所述电子复合抑制结构是:在对电极上或/与TiO2电极上均蒸发或溅射的氧化铝、氧化硅、聚合物或P型半导体材料。
搜索关键词: 具有 电子 复合 抑制 结构 染料 纳米 薄膜 太阳电池 制备
【主权项】:
1、具有电子复合抑制结构层的染料敏化纳米薄膜太阳电池,其特征是电池结构为ITO/TiO2电极并吸附染料分子/电解质/电子复合抑制结构/Pt对电极/ITO,且在ITO基板上将吸附染剂分子之TiO2电极与对电极间加入电解质组成电池直接叠加在一起,并使用封装树脂将电池周边封装密闭电解液;所述电子复合抑制结构是:在对电极上或/与TiO2电极上均蒸发或溅射的氧化铝、氧化硅、聚合物或P型半导体材料。
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