[发明专利]改善电池电性能的退火工艺无效
| 申请号： | 200810243291.1 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101465392A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张高洁;王景霄;宋登元;高周妙 | 申请（专利权）人： | 江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司;江苏林洋新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南通市永通专利事务所 | 代理人： | 葛 雷 |
| 地址： | 226200江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善电池电性能的退火工艺，包括将丝网印刷晶体硅太阳电池进行退火处理，采用惰性气体(N2，Ar)混合不同比例的氢气的还原性气体退火晶体硅太阳电池，氢气的体积混合比例为5％-100％。本发明采用低温特殊气氛退火晶体硅太阳电池，工艺与晶体硅电池工艺兼容，设备投资低，生产效率高，可以有效提高电池电性能，具有大规模应用的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 电池 性能 退火 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种改善电池电性能的退火工艺，包括将丝网印刷晶体硅太阳电池进行退火处理，其特征是：采用惰性气体混合不同比例的氢气的还原性气体退火晶体硅太阳电池，氢气的体积混合比例为5％-100％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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