[发明专利]宽光谱自组织量子点材料的生长方法无效
| 申请号： | 200810240354.8 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752482A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 梁松;朱洪亮;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种宽光谱自组织量子点材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制作介质掩模图形；步骤2：在制作有介质掩模图形的衬底上依次生长量子点缓冲层材料、量子点层材料及量子点盖层材料。本发明是在衬底上制作宽度或掩模间距周期性由大到小逐渐变化的介质掩模，介质掩模宽度大或间距小的掩模间衬底部分量子点尺寸大发光波长长，而介质掩模宽度小或间距大的掩模间衬底表面量子点尺寸小发光波长短，连续变化的掩模宽度/间距对量子点的发光具有连续的调制作用，结合量子点固有的光谱非均匀展宽效应，能够得到宽光谱量子点材料。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 组织 量子 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种宽光谱自组织量子点材料的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制作介质掩模图形；步骤2：在制作有介质掩模图形的衬底上依次生长量子点缓冲层材料、量子点层材料及量子点盖层材料。
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