[发明专利]一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度的方法有效
| 申请号： | 200810239916.7 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101748478A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 崔彬;高宇;吴志强;戴小林 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度(指相对于热屏下缘的高度)的方法，方法包括以下步骤：将CCD摄像机安装在硅单晶炉上炉体的观测窗口上，观测单晶炉内热屏下缘和热屏在熔体上的倒影；图像处理系统对CCD拍摄到的图像进行扫描，计算得到热屏在熔体上倒影的半径，将这个半径值代入经推导得到的热屏倒影半径r同液面相对高度H(液面距离热屏下端面高度)关系公式可以计算出液面相对高度。本发明优点是：可以实时监控熔体液面的相对高度变化，通过图像处理软件分析像素值增减来计算液面的高度变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 坩埚 中硅熔体 水平面 相对高度 方法 | ||
【主权项】：
一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度的方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)、将CCD摄像机安装在硅单晶炉上炉体的观测窗口上，观测单晶炉内热屏下缘和热屏在熔体上的倒影；(2)、图像处理系统对CCD拍摄到的图像进行扫描；(3)、将热屏倒影扫描点坐标换算为相应热屏倒影坐标r；(4)、将r值输入根据液面相对高度H、热屏下缘半径R、热屏倒影半径r、CCD镜头到籽晶提升钢缆的距离k和镜头到热屏下缘的距离b之间空间关系推到的关系函数，计算得到液面距离热屏下端高度H。
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