[发明专利]基于电子束等离子刻印制备自旋显微微悬臂探测器方法

摘要

本发明公开了一种基于电子束等离子刻印制备自旋显微微悬臂探测器方法，首先低温低压化学LPCVD方法基片镀制二氧化硅膜。其次，等离子体RIE刻蚀镀二氧化硅膜的SOI基片刻蚀窗口阵列。第三、湿刻基片。碱性溶液腐蚀等离子体开窗的WAFER窗口。第四、窗口Si薄膜涂覆光阻胶。第五、EBL制备了振荡器的形状，电子束曝光，电子显微刻蚀系统MASH掩膜刻蚀。第六、等离子体RIE刻蚀刻除Si(无光刻胶部分)刻出振荡器微结构。最后等离子体RIE刻蚀清除探测器表面的光刻胶，刻出完全振荡器微结构。本发明制备的探测器品质因数高、分辨率高、倔强系数优、结构紧凑、灵敏度高，制备具有工作可靠参数优的特点。

主权项

1、基于电子束等离子刻印制备自旋显微微悬臂探测器方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，采用低温低压化学LPCVD方法在硅SOI基片上镀制二氧化硅膜；其次，等离子体RIE刻蚀二氧化硅膜的SOI基片，刻蚀出基片窗口阵列；第三、湿刻基片：碱性溶液腐蚀基片窗口，用50—250毫升摩尔浓度为7—9％的NaOH溶液放入烧杯内，烧杯放在磁性搅拌器上，基片浸没在8％NaOH溶液中，加热，温度在20—550C间，时间12—24小时，直到基片表面外露出整齐基片10×50窗口阵列，窗口出现Si薄膜；第四、在Si薄膜涂覆光阻胶；第五、电子束EBL根据振荡器的模板掩膜刻蚀光阻胶，形成振荡器的形状；最后、在HBr和Cl2气氛中，等离子体RIE刻蚀去除无光阻胶部分的Si，在O2气氛中，等离子体RIE刻蚀清除振荡器表面的光阻胶，得到完整的振荡器微结构。