[发明专利]硅太阳能电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种硅太阳能电池的制造方法，在N型硅衬底的背面进行N型或P型掺杂，形成N型或P型掺杂层，并在掺杂层的外层生长SiO2层；在背面的SiO2层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂或抗腐蚀剂，通过腐蚀剂腐蚀出需要的图形，暴露出N型硅衬底；在暴露的N型硅衬底处进行P型或N型掺杂，形成P型或N型掺杂区。然后，在背面的SiO2层上腐蚀出通孔，引出电极；将正面腐蚀成绒面结构，并在绒面结构上淀积减反射层。采用印刷工艺印刷腐蚀剂或者抗蚀剂的方式，代替现有技术中的光刻工艺，生产成本降低、生产效率大大提高，适合规模化生产。

主权项

一种硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：首先，以N型硅衬底为基片，在所述基片的背面进行N型或P型掺杂，形成N型或P型掺杂层，并在所述掺杂层的外层生长SiO2层；然后，在所述基片的背面的SiO2层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂或抗腐蚀剂，通过腐蚀剂腐蚀出需要的图形，暴露出所述N型硅衬底；之后，在所述暴露的N型硅衬底处进行P型或N型掺杂，形成P型或N型掺杂区。