[发明专利]一种多晶硅的纯度检测方法及装置无效
| 申请号： | 200810223000.2 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101685048A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李核;田俊;陈红雨 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明 |
| 地址： | 510006广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施方式提供了一种多晶硅的纯度检测方法及装置，该方法及装置属于化工和太阳能领域，该方法包括：将硅粉混合均匀后，用二次去离子水洗涤，然后烘干至恒重；将烘干后的硅粉放入Teflon盘子中，加水润湿样品，并加入多羟基化合物溶液；将所述Teflon盘子放置在Teflon容器上并放置于密封体中，在所述密封体低部加入HF和HNO3，密封所述密封体后加热到110～120℃；当硅粉全部消解完全，并挥发至干燥后，加入HNO3溶解残渣后，转移至塑料容量瓶并定容后测定杂质元素的含量。本发明具体实施方式还提供一种实现多晶硅的纯度检测方法的专用装置，该方法及装置具有检测准确度高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 纯度 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅的纯度检测方法，其特征在于，所述方法包括：A、将硅粉混合均匀后，用二次去离子水洗涤2～5次，然后烘干至恒重；B、将烘干后的硅粉放入Teflon盘子中，加水润湿样品，并加入0.3mL～1mL浓度为2.5g/L的多羟基化合物溶液；C、将所述Teflon盘子放置在Teflon容器上并放置于密封体中，在所述密封体低部加入7mL～10mL优级纯度的HF和2mL～3mL优级纯度的HNO3，密封所述密封体后加热到110～120℃；所述密封体为耐热耐酸腐蚀的密闭容器；D、当硅粉全部消解完全，并挥发至干燥后，打开所述密封体并向所述Teflon盘子内加入5mL～10mL HNO3溶解残渣后，转移至塑料容量瓶；所述5mL～10mL HNO3为HNO3与水的体积比为1∶1的HNO3；E、用二次去离子水对所述塑料容量瓶定容后，测定杂质元素的含量。
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