[发明专利]一种双端口静态随机存取存储器单元有效
| 申请号： | 200810222331.4 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101677016A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 高雷声;周玉梅;蒋见花 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/416;G11C11/419 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双端口静态随机存取存储器单元，包括：一写入电路，具有两个作为传输门的PMOS晶体管，根据字线的控制信号，将来自位线的输入数据信号写入；一数据存储电路，包括四个晶体管，由两个反相器构成锁存电路，用于通过所述写入电路存储来自外部的输入数据信号；一读取电路，包括两个NMOS晶体管，用于根据读选择控制信号，读取所述数据存储电路存储的输入数据信号。本发明提供的这种双端口静态随机存取存储器单元，读操作和写操作的位置分开，因此能够互不干扰地同时读写数据，同时又能在高速状态下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 端口 静态 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
1、一种双端口静态随机存取存储器单元，其特征在于，包括：一写入电路，具有两个作为传输门的PMOS晶体管，根据字线的控制信号，将来自位线的输入数据信号写入；一数据存储电路，包括四个晶体管，由两个反相器构成锁存电路，用于通过所述写入电路存储来自外部的输入数据信号；一读取电路，包括两个NMOS晶体管，用于根据读选择控制信号，读取所述数据存储电路存储的输入数据信号。
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